16 desembre 2017
Tesi doctoral
NEGF based analytical modeling of advanced MOSFETs
Data i hora
Divendres, 15 de desembre - 11.00 h
Lloc
Sala de graus de l'ETSE, campus Sescelades (Av. Països Catalans n. 26, Tarragona) Mostrar mapa [+]
Descripció

Fabian Hosenfeld és l'autor de la tesi doctoral titulada: "NEGF Based Analytical Modeling of Advanced MOSFETs" (menció internacional).

Els directors de la tesi han estat els professors Alexander Gunther, Benjamí Iñíguez i François Lime, i està adscrita al Departament d'Enginyeria Electrònica, Elèctrica i Automàtica.

Contacte
Categoria i paraules clau
Ciència i tecnologia, Doctorat
Compartir